新品發(fā)布
芯能半導體新推出一款1200V600A C2模塊，該模塊采用芯能自主研發(fā)的基于MPT工藝的IGBT芯片以及發(fā)射極控制技術的FRD芯片。封裝兼容62mm。該產(chǎn)品具有超低的飽和壓降、超低開關損耗的特點，內置全電流正溫度系數(shù)續(xù)流二極管，利于多并聯(lián)使用，主要應用在光伏、儲能、電機控制器等領域。
該C2模塊由芯能半導體自建的自動化封裝制造專線生產(chǎn)，可以實現(xiàn)模塊的常溫、高溫動靜態(tài)測試篩選，以及器件參數(shù)的分檔，滿足模塊并聯(lián)使用和高可靠性的要求。
競品參數(shù)對比
產(chǎn)品特點
1、C2系列封裝（兼容62mm）
2、IGBT采用MPT芯片技術，超低開關損耗，超低Vcesat
3、FRD采用正溫度系數(shù)，利于多并聯(lián)使用
4、低寄生電感
5、成本比ME4產(chǎn)品低20%
應用領域
拓撲結構
測試波形對比
1、2.5倍電流波形@150℃
2、短路波形@150℃
自動化封裝線
芯能半導體有一條專門生產(chǎn)C2的模塊的專線，全制程、全工序生產(chǎn)作業(yè)配備有先進的工藝自動化上下料系統(tǒng)： 以實現(xiàn)高效的生產(chǎn)和一致的產(chǎn)品質量。
※ ：產(chǎn)品具體信息可向我司銷售人員咨詢或索取產(chǎn)品規(guī)格書（service@invsemi.com）。
