概要
IPM23_MOS方案時(shí)隔1年再次相見(jiàn)，我們新品優(yōu)化了產(chǎn)品性能，優(yōu)化的產(chǎn)品成本架構(gòu)，產(chǎn)線擴(kuò)線產(chǎn)能保證。
新發(fā)布的智能功率模塊采用芯能新一代自研驅(qū)動(dòng)IC和MOSFET芯片，包含全功能驅(qū)動(dòng)與高性能逆變輸出，為交流感應(yīng)電機(jī)、BLDC無(wú)刷直流電流與PMSM永磁同步電機(jī)等高頻應(yīng)用提供了更適配的選項(xiàng)。
IPM23_MOS新系列產(chǎn)品內(nèi)部驅(qū)動(dòng)集成了自舉電路、防直通互鎖、欠壓保護(hù)與溫度輸出功能，優(yōu)化的高壓柵極驅(qū)動(dòng)配合內(nèi)集成快速恢復(fù)二極管的MOSFET，極大地改善產(chǎn)品工作EMI與開(kāi)關(guān)損耗。產(chǎn)品封裝采用框架全塑封結(jié)構(gòu)，模塊體積小、功能齊全、功率密度高、熱阻小，絕緣等級(jí)能滿足各種裝配場(chǎng)景需求。
目前產(chǎn)品的規(guī)格等級(jí)有3A/500V和5A/500V，型號(hào)為XNM50350ATS和XNM50550ATS。
1、內(nèi)置高壓柵極驅(qū)動(dòng)，配套芯片完全國(guó)產(chǎn)化
2、三相全橋逆變拓?fù)?，適用于各類(lèi)電機(jī)驅(qū)動(dòng)場(chǎng)景
3、優(yōu)化驅(qū)動(dòng)與MOSFET開(kāi)關(guān)，降低開(kāi)關(guān)損耗與優(yōu)化EMI特性
4、驅(qū)動(dòng)集成自舉電路，內(nèi)置限流保護(hù)電阻，集成度更高
5、內(nèi)置欠壓保護(hù)、過(guò)流保護(hù)，互鎖及溫度輸出(VOT)
6、完全兼容3.3V和5V驅(qū)動(dòng)輸入信號(hào)
7、絕緣電壓等級(jí)：1500Vac
解決問(wèn)題
01
與主流產(chǎn)品完全兼容
02
集成多重保護(hù)功能
集成自舉電路、欠壓保護(hù)、防直通互鎖、溫度輸出功能
03
開(kāi)關(guān)損耗小，適用高頻應(yīng)用
電流等級(jí)可達(dá)5A，功率密度高、熱阻小
※產(chǎn)品具體信息可向我司銷(xiāo)售人員咨詢(xún)或索取產(chǎn)品規(guī)格書(shū)(service@invsemi.com)。
