新品發(fā)布
芯能半導(dǎo)體新推出一款采用DFN5*6-8L封裝的4.7mΩ的60V MOS產(chǎn)品：XNDR5N06M。該產(chǎn)品具有高功率密度設(shè)計(jì)、低導(dǎo)通電阻、低柵極電荷和柵極電阻的特點(diǎn)，適合應(yīng)用在電機(jī)控制器、不間斷電源等領(lǐng)域。
01
產(chǎn)品特性
芯能的XNDR5N06M 經(jīng)過(guò)100%的雪崩測(cè)試，從而提高整體的可靠性；沖擊能力強(qiáng)，適用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用；同時(shí)DFN5*6封裝可以節(jié)省PCB空間，可直接通過(guò)PCB散熱，4.7mΩ低導(dǎo)通電阻，為較低溫升提供保證。具備較低的開(kāi)關(guān)損耗，確保高速電機(jī)應(yīng)用中提高能效和功率密度，改善電磁干擾（EMI）并更容易進(jìn)行PCB設(shè)計(jì)。
02
吸塵器方案
采用集成預(yù)驅(qū)Cortex-M4核的UCM32M4371A MCU控制,其具備120MHz處理能力，配合芯能功率MOS XNDR5N06M提供優(yōu)化成熟的高速吸塵方案。
方案優(yōu)勢(shì)特點(diǎn)
1
輸入電壓：8-36V
2
驅(qū)動(dòng)方式:單電阻無(wú)感FOC旋波
3
轉(zhuǎn)速：150000 RPM
4
支持恒功率、恒速度控制
5
支持過(guò)溫、過(guò)壓、欠壓、過(guò)流、堵轉(zhuǎn)、短路等故障保護(hù)
方案可提供
1
演示板進(jìn)行功能測(cè)試驗(yàn)證（方便快速的性能驗(yàn)證）
2
功率、驅(qū)動(dòng)和控制一整套芯片，產(chǎn)品方框圖、電路圖、PCBA等技術(shù)資料（成套解決方案資料，縮短客戶量產(chǎn)周期）
掃碼進(jìn)入芯能商城購(gòu)買(mǎi)樣品
※ ：產(chǎn)品具體信息可向我司銷售人員咨詢或索取產(chǎn)品規(guī)格書(shū)（service@invsemi.com）。
